Qualcomm presenta ufficialmente Snapdragon 835 e Quick Charge 4!

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Nella giornata di ieri, Qualcomm ha annunciato ufficialmente dello Snapdragon 835, nuovo processore top gamma. Sebbene poco si sappia dei dettagli che caratterizzato questo SoC, Qualcomm ne ha comunque diffuso gli aspetti principali in occasione della conferenza di presentazione.

Il colosso americano ha scelto Samsung per realizzare il chip con processo produttivo FinFET a 10nm. Ciò comporta una riduzione dell’area del 30% rispetto ai 14nm, performance incrementate del 27% circa e consumi ridotti del 40%. Snapdragon 835 è già in produzione e dovrebbe arrivare sui primi prodotti entro metà 2017.

Nel corso della conferenza Qualcomm ha anche annunciato Quick Charge 4, muova tecnologia per la ricarica veloce in grado di garantire tempi di ricarica il 20% più rapidi e un’efficienza il 30% maggiore rispetto a Quick Charge 3. Quick Charge 4 consentirà di ricaricare il 50% della batteria in 15 minuti; con 5 minuti di carica Quick Charge 4 garantirà fino a 5 ore di autonomia.

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Quick Charge 4 adotta una rinnovata versione dell’algoritmo INOV (Intelligent Negotiation for Optimum Voltage), consentendo dunque temperature più fresche di 5 °C rispetto alla precedente versione. Ma non solo: grazie ad un rinnovato Battery Saver Technologies, la batteria manterrà circa l’80% della sua capacità di carica originaria dopo 500 cicli.

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Capitolo sicurezza: Quick Charge 4 integra anche funzioni di protezione come over-voltage, over-current e quattro livelli di over-temperature. Sicurezza anche relativamente all’alimentatore utilizzato e ai cavi, con riconoscimento automatico del tipo e della qualità del cavo utilizzato.

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